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CVD和ALD前驱体

半导体ALD/CVD前驱体是半导体薄膜沉积工艺的核心关键原材料,能够通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)和原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)制备金属/氧化物/氮化物薄膜,用于90nm-14nm甚至7nm先进技术节点的集成电路制造工艺,被广泛应用于高端芯片制造,包括逻辑芯片、AI芯片、5G芯片、大容量存储器和云计算芯片等。阿拉丁拥有多种ALD/CVD前驱体材料及技术,可提供包括三甲基铝在内的多种产品。

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